Главная Монтаж компьютерных сетей Защита данных Информационные системы Кабельные системы Карта сайта Контакты
•  Apple выпустила «волшебную» мышь без кнопок
Корпорация Apple выпустила первую в мире мышь с мультисенсорным управлением.

•  Производители предсказали дефицит памяти в 2010 году
С августа 2009 года контрактная цена чипов памяти DDR2 растет на 20 процентов в месяц, сообщает Digitimes.

•  Опубликован первый тест процессора Core i9
Сотрудникам польского издания PClab.pl удалось протестировать ранний инженерный образец шестиядерного процессора Intel Core i9.

Общие положения по сохранению живучести и обеспечению защиты радиоэлектронных средств от воздействий электромагнитного оружия и электронного терроризма


Критерием стойкости РЭС, находящегося под напряжением, к воздействию ЭМИ является отсутствие необратимых и обратимых отказов (сбоев) в момент или после воздействия ЭМИ. Критерием стойкости по обратимым отказам при этом является непревышение напряжения помех в уязвимых цепях, соединенных с клеммами ИЭТ, допустимых Uт доп, установленных в НД (ТУ) на ИЭТ по параметру “импульсная помехоустойчивость”.

Исследования показали, что для цифровых схем ИЭТ, на которые поданы напряжения источников питания, амплитуда напряжения переключения схемы, при которой происходит сбой составляет Uтдоп ~ 0,01 Uо доп при одной и той же длительности импульса. Соответственно соотношение пороговых величин по энергии импульса помехи составляет 103 – 104 раз. Имеются сведения о создании ИЭТ, имеющих энергию переключения 10-14 Дж.

Анализ источников информации начиная с 60-х годов прошлого века, посвященных вопросам стойкости ИЭТ к воздействию импульсных помех, показывает, что для типовых изделий, применяемых в цифровых схемах, амплитуда допустимого напряжения импульса помехи Uо доп снижается в 2 – 4 раза, а энергия порога переключения схемы – до 80 раз в каждом последующем десятилетии [5].

Воздействие ЭМИ по физическому механизму и степени опасности для РЭС подразделяют на три категории:

I категория – воздействие напряжений помех на схемы функционально-конструктивных частей (ФКЧ) в результате прохождения тока через резистивные, емкостные и индуктивные элементы, соединенные с цепями входных-выходных разъемов РЭС;

II категория – воздействие напряжений помех в цепях ФКЧ, индуктированных электрическими и магнитными полями, возникающими в месте расположения данной ФКЧ в момент воздействия ЭМИ;

III категория – воздействие напряжения помех на клеммы ФКЧ, вызванных растеканием тока по элементам конструкции, экранам кабелей и земляным (корпусным) цепям данной ФКЧ в момент воздействия электромагнитного излучения – растекание тока ЭМИ по внешним покровам РЭС.

Оценка поражающего действия различных источников: РЛС, РПС, МР, СЭ производится путем испытаний РЭС на стойкость к воздействию значимых показателей и максимальных уровней интенсивности этих источников. В НД по испытаниям нет эквивалентных пересчетов в критерии отказа РЭС импульсных и гармонических помех, различных форм импульсов, длительности, напряжения помех в цепях и напряженности полей ЭМИ – магнитной и электрической составляющих и т.п.

1  2  3  4  5  6  7